プレスリリース

「製品データシート」 リニアテクノロジー、新製品「LTC4449」を販売開始

高効率降圧または昇圧DC/DC コンバータ用の強力なゲートドライブを備えた高速同期整流式
NチャネルMOSFETドライバ

2010年1月27日 - 高性能アナログICのリーディングカンパニーであるリニアテクノロジーは、同期整流式コンバータ・トポロジーのトップおよびボトムNチャネル・パワーMOSFETをドライブする高速同期整流式MOSFETドライバ「LTC4449」の販売を開始しました。LTC4449EDCBは2mm x 3mm DFN-8 パッケージで供給され、1,000個時の参考単価は125円(税込み)からです。インダストリアル・グレード・バージョンのLTC4449IDCBは、−40℃〜125℃の動作接合部温度範囲での動作が保証され、1,000個時の参考単価は139円(同)からで、リニアテクノロジー国内販売代理店各社経由で販売されます。製品の詳細は、www.linear-tech.co.jp をご覧ください。

LTC4449は、リニアテクノロジーのDC/DCコントローラやパワーFETのひとつと組み合わせることにより、降圧または昇圧DC/DCコンバータとして使用できる、完全な高効率同期整流式レギュレータを構成します。LTC4449は、4V〜6.5Vの範囲でトップMOSFETとボトムMOSFETの両方のゲートをドライブし、最大38Vの電源電圧で動作します。LTC4449は、最大4.5Aをシンクし、最大3.2Aをソースすることが可能なので、ゲート容量の大きな高電流MOSFETのドライブに最適です。さらに高電流のアプリケーションでは、並列接続した複数のMOSFETをドライブすることも可能です。3,000pF負荷ドライブ時のトップMOSFETの立ち上がり時間は8ns、立ち下がり時間は7ns、ボトムMOSFETの立ち上がり時間は7ns、立ち下がり時間 は4nsと高速なので、スイッチング損失を最小限に抑えます。適応型シュートスルー保護機能により、デッドタイムを最小限に抑えながら、トップMOSFETとボトムMOSFETが同時に導通するのを防ぎます。

LTC4449は、パワーステージを制御およびシャットダウンするための、3ステートのパルス幅変調（PWM）入力を備えています。このPWM入力は3ステート出力機能を採用しているすべてのマルチフェーズ・コントローラと互換性があります。また、LTC4449は、入力ロジック用の独立した電源を備えているので、コントローラICの信号振幅に適合可能で、ドライバ電源とロジック電源の両方に低電圧ロックアウト回路を備えています。

LTC4449の主な特長：

• 同期整流式NチャネルMOSFETドライバ
• ゲートドライブVCC電圧： 4V〜6.5V
• 電源電圧：最大38V
• 適応型シュートスルー保護
• 3ステートPWM入力により、パワーステージを制御
• 大きなドライブ電流：3.2Aのソース電流、4.5Aのシンク電流
• トップ・ゲート：3000pF ドライブ時の立ち上がり時間8ns、立ち下がり時間7ns
• ボトム・ゲート：3000pF ドライブ時の立ち上がり時間7ns、立ち下がり時間4ns
• 2mm x 3mm DFN-8 パッケージ